Purdue大学：
在的MURI项目中，逆变电源.制成功4.9kV的SiC功率SBD，
使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。
力神708型SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，
关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，
而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，
这是相矛盾的。因此，对势垒金属折衷考虑，
故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，
Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。
机头套件由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，
故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。
为了获得正向压降低和反向漏电流小的
济宁采用Ni接触与Ti接触相结合、力神电子高/低势
垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。
逆变电源采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，
在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，
而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V
